日期:2011-07-14 10:38
在日本电化学协会电子材料委员会主办的半导体及集成电路技术第75届研讨会（2011年7月7日与8日在东京早稻田大学举行）上，三菱电机尖端技术综合研究所的古川彰彦登台演讲，介绍了该公司此前公开的SiC功率元件的研发成果。在演讲最后，还回答了与会者的提问。
会场上的提问主要集中在两个问题上：一个是SiC功率元件的制造工序中注入离子时的基板温度。某装置厂商的技术人员在提问时表示，要求离子注入时基板温度为500℃左右的呼声很高。古川就此表示，即便在更低的基板温度下注入离子问题也不大。实际上，三菱电机就是在200~250℃左右的基