日期:2011-07-14 10:38
板温度下注入离子的。
另一个问题与SiC MOSFET有关。提问者首先提出了MOSFET的电子迁移率问题。这是因为SiCMOSFET的通道迁移率较低。从物性上来说，4H型SiC单晶体中的 电子迁移率应为1000cm2/Vs左右，但实际上MOSFET的通道迁移率还不到100cm2/Vs.古川表示，虽然我个人希望达到100cm2 /Vs的目标,但想尽了各种办法，迁移率却仍停留在20~40cm2/Vs.不过，我认为（这一迁移率）也能满足耐压1200V级功率元件的要求 （古川）。
此外，还有就MOSFET普及相关课题的提问。古川对此的回答是价格。他说，从专门经营电子部件的商社购买时，电流容量