美国玫瑰街实验室首个证实InGaN-on-Si长波LED设备
日期:2011-07-15 10:18
米硅衬底上生产InGaN-on-Si的LED设备，商业前景广阔。此外，玫瑰街实验室还初步证实了可将光线调整为多色光和白光光谱。

据悉，美国玫瑰街实验室位于亚利桑那州凤凰城，是一家产品和服务供应商，为私人所有，服务于可再生能源和半导体市场。

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