日期:2011-07-18 10:27
由ARM Cortex-M0微处理器和ARMArtisan物理IP组成，不过这颗20nm工艺制造的芯片到底包含了多少晶体管、核心面积上又有多大等信息目前并未透露。
另据了解，三星20nm工艺将使用第二代后栅极（GateLast）和高K金属栅极（HKMG）技术，第二代超低K电介质材料，第五代应变硅晶圆，193毫米沉浸式光刻工艺。
虽然刚刚流片成功，但是三星已经向客户开放了其20nm早期工艺设计套装（PDK），方便他们开始着手下一代新工艺产品的设计。
三星在芯片领域的工作其实已经深耕多年，之前就曾和Cadence公司有过深入合作，包括在IBM领导的Commo