InGaN-on-Si长波LED设备第一次被证实
日期:2011-07-18 11:11
位 于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商,为私人所有,服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波 LED设备,其相比于传统蓝宝石或碳化硅衬底具有很大的成本优势。与紫外线和蓝光LED相比,由于量子效率的下降,制造绿光LED以及长波氮化物基LED 极具挑战性,一直被认为是行业发展的一个里程碑。
  玫瑰街实验室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)将负责绿光LED和长波LED的封装。FCL在封装半导体功率器件方面具有丰富的经验,其分布于全球的制造厂将为该实验室提供专属的LED
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