InGaN-on-Si长波LED设备第一次被证实
日期:2011-07-18 11:11
设备封装解决方案。
　　玫瑰街实验室还初步证实了可将光线调整为多色光和白光光谱。该公司表示，InGaN-on-Si长波LED具有高强度、低能耗和商业成本极低的优点，预计未来2-3年中该技术可实现在200毫米硅衬底上生产InGaN-on-Si的LED设备，商业前景广阔。

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