日期:2011-09-01 14:46
非晶硅锗膜层。作为锗的原料气体锗烷在等离子场中比硅烷更容易分解，这样在大面积制作薄膜时因为锗的含量分布不均匀严重的影响了器件的转换效率，尤其是在第三结子电池上为了更好的吸收红外光波必须增加锗的含量势必加重锗的分布不均匀的情况，这种空间上的分布不均匀在单室多片的平行模式PECVD系统中尤其明显。由于锗烷更容易被分解，这样在这种平行模式下做出器件上部和下部的锗含量差异非常大，导致器件的转换效率下降到无法接受的地步。针对于锗烷高昂的价格，单室多片的平行模式PECVD设备又是非常理想经济的产业化设备，在这种设备上