日期:2011-05-30 17:58
状态:待解决
提问:admin
此工序产生有机废气和废有机溶剂。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
具体工艺流程如下：
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有
很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2
和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会
产生硫酸雾和废硫酸。
DHF清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在
自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。
此过程产生氟化氢和废氢氟酸。
AP
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