日期:2011-05-30 17:58
状态:待解决
提问:admin
M清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成，硅片表
面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH
腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表
面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。
HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM，用于去除硅表面的
钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。 磨片检测：检测
经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和R
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