日期:2011-05-30 17:58
状态:待解决
提问:admin
CA
清洗。
腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的
损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤
层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除
损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。
分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。
粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在10~20um。此处产
生粗抛废液。
精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以
下，从而的到高平坦度硅片
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