日期:2011-05-31 17:14
状态:待解决
提问:admin
用蒸镀台相比半导体PVD设备难度较低这一情况，国内具有半导体PVD设备开发经验的设备商，将有能力实现LED蒸镀台国产化。
4、PECVD工艺及设备
PECVD工艺是在完成外延工艺后，在晶片表面镀上一层SiO2或SiNx,作为电极刻蚀需要的硬掩模，以增大掩模与GaN外延层的刻蚀选择比，获得更好的刻蚀剖面形貌。
目前LED主流使用PECVD一般为采用13.56MHz的平板式PECVD,在250~300℃左右温度进行成膜，一次成膜可达40多片，国内LED生产用PECVD目前仍以进口为主。LED采用PECVD与传统PECVD有相同的技术难点，关键技术仍在于温度控制、等离子体技术、真空系统
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