日期:2011-06-16 23:10
状态:待解决
提问:admin
下，国内InGaN芯片产能已经由 2003年的65KK/月倍增至2005年的400KK/月，2006年进一步提升至600KK/月，国内自产供应率逐年提升。预计未来几年国内 InGaN芯片仍将保持30%左右的年复合增长率，至2010年国内将超过日本成为全球第二大GaN芯片生产基地，产能高达1650KK/月，实际上由于 LEDMOCVD设备投入后产能提高特别快，这些估计有些保守。
LED照明在产业技术发展方面，国内目前已研发1W的功率LED芯片可产业化，其发光效率为30lm~40lm/W,最高可达47.5lm /W,单个器件发射功率为150mW,最高可达189mW.南昌大学近年来开展在硅衬底上生长GaN
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