日期:2011-06-16 23:10
状态:待解决
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外延材料研究，已研发的蓝光芯片发射功率达 7mW~8mW,最好为9mW~10mW,芯片成品率为80%,功率LED芯片在350mA下发射功率为100mW~150mW,最好可达150mW.在 500mA、1000小时通电试验下，蓝光的光衰小于5%.该成果取得突破性进展，通过863项目验收，并获得多项有自主产权的国际发明专利。该专利 打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成蓝宝石、碳化硅、硅衬底制成蓝光的半导体照明技术方案 三足鼎立的局面，在产业化过程中不会受日亚和Cree蓝光专利的制约，且目前最成熟的白光合成方案是蓝光
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