日期:2011-06-23 11:31
状态:待解决
提问:admin
对于高功率LED的设计，目前各大厂多以大尺寸单颗低压DC LED为主，做法有二，一为传统水平结构，另一则为垂直导电结构。就第一种做法而言，其?程和一般小尺寸晶粒几乎相同，换句话说，两者的剖面结构是一样 的，但有别于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要操作在大电流之下，一点点不平衡的P、N电极设计，都会导致严重的电流丛聚效应(Current crowding)，其结果除了使得LED晶片达不到设计所需的亮度外，也会损害晶片的可靠度(Reliability)。
当然，对上游晶片?造者／晶片厂而言，此作法?程相容性(Compatibility)高，无需再添购新式或
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