日期:2011-06-23 11:31
状态:待解决
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串联而成。其特色在于，晶片能够依照不同输入之电压的需求而决定其cell数量与大小等，等同于做到客 ?化的服务。由于可以针对每颗cell加以优化，因此能够得到较佳的电流分布，进而提高发光效率。
高压发光二极体和一般低压二极体在技术上最主要的差异有叁，第一为沟槽(Trench)。沟槽的目的在于将复数颗的晶胞独立开来，因此其沟 槽下方需要达到绝缘的基板，其深度依不同的外延结构而异，一般约在4~8um，沟槽宽度方面则无一定的限制，但是沟槽太宽代表着有效发光区域的减少，将影 响HV LED的发光效率表现，因此需要开发高深宽比的?程
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