计中选择最接近标准的值: 150 F。
设计变压器的过程并不简单。首先要决定所需的匝数比。它的上限和下限由建议采用的功率MOSFET晶体管的最大漏源电压 (VDS)和次级整流二极管的反向电压限决定。功率 MOSFET要承受由于变压器漏感产生的电压尖峰，它在磁芯消磁开始时加到输入峰值上(265V 交流供电时峰值输入电压为373V)。尖峰电压的幅值随着漏感及变压器输出的增加而增加，它确定了匝数比的上限。次级整流二极管的反向承受电压决定匝数比的下限。针对600V VDS 功率 MOSFET 和 100V VR 二次整流器二极管的选择，匝数比的上、下限分别为 5.22和