日期:2011-07-07 11:08
状态:待解决
提问:admin
一些高亮度 LED芯片上p-n两个电极的位置相距拉近，令芯片发光效率及散热能力提高。而最近已有大功率LED的生产，就是利用新改良的激光溶解（Laser lift-off）及金属黏合技术（metal bonding），将LED磊晶晶圆从GaAs或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率 LED提高取光效率及散热能力。
封装设计
经过多年的发展，垂直LED灯（3mm、5mm）和SMD灯（表面贴装LED）已演变成一种标准产品模式。但随着芯片的发展及需要，开拓出切合 大功率的封装产品设计，为了利用自动化组装技术降低
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