日期:2011-07-07 11:08
状态:待解决
提问:admin
控制。新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用纯锡（Sn）或金锡（Au- Sn）合金作接触面镀层，晶粒可焊接于镀有金或银的基板上。当基板被加热至适合的共晶温度时，金或银元素渗透到金锡合金层，合金层成份的改变提高溶点，令 共晶层固化并将LED紧固的焊于热沉或基板上。选择共晶温度视乎晶粒、基板及器件材料耐热程度及往后SMT回焊制程时的温度要求。考虑共晶固晶机台时，除 高位置精度外，另一重要条件就是有灵活而且稳定的温度控制，加有氮气或混合气体装置，有助于在共晶过程中作防氧化保护。当然和银浆固晶一样，要
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