日期:2011-07-12 11:16
状态:待解决
提问:admin
其正负电极均位于芯片上面，间距很小；对于 InGaN/AlGaN/GaN 双异质结，InGaN 活化簿层仅几十nm，对静电的承受能力很小，极易被静电击穿，使器件失效。因此，在产业化生产中，静电的防范是否得当，直接影响到产品的成品率、可靠性和 经济效益。静电的防范技术有如下几种：
①生产、使用场所从人体、台、地、空间及产品传输、堆放等实施防范，手段有防静电服装、手套、手环、鞋、垫、盒、离子风扇、检测仪器等。
②芯片上设计静电保护线路。
③LED 上装配保护器件。
厦门华联电子有限公司长期从事半导体LED 及其它光电子器件的研制、生产
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