日期:2011-07-12 11:16
状态:待解决
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属线路板直接接触，具有很好的散热性能，而输入功率可达1W。我国台湾UEC 公司（国联）采用金属键合（Metal Bonding）技术封装的MB 系列大功率LED［3］其特点是用Si 代替GaAs 衬底，散热好，并以金属黏结层作光反射层，提高光输出。现有LED 单芯片面积分别为：0.30.3mm2、11mm2 和2.52.5mm2 的芯片，其输入功率分别有0.3W 、1W 和10W，其中2.52.5mm2芯片光通量可达200lm，0.3W 和1W 产品正推向市场。多芯片组合封装的大功率LED，其结构和封装形式较多，这里介绍几种典型的结构封装形式：
①美国UOE 公司于2001 年推出多芯片组合封装的
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