高压LED基本结构及关键技术
日期:2011-07-18 10:32
状态:待解决
提问:admin
光区域的减少,将影响HV LED的发光效率表现,因此需要开发高深宽比的制程技术,缩小制程线宽以增加发光效率。

  第二为绝缘层(Isolation),若绝缘层不具备良好的绝缘特性,将使整个设计失败,其困难点在于必须在高深宽比的沟槽上披覆包覆性良好、膜质紧密及绝缘性佳的膜层,这也是单晶AC LED制程上的关键。

  第三个是晶片间的互连导线(Interconnect)。一般而言,要做到良好的连结,导线在跨接时需要一个相对平坦的表面,一个深邃的阶梯状结构将使得导线结构薄弱,在高电压、高电流驱动下易产生毁损,造成晶片的失效,因此平坦
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