日期:2011-04-13 15:13
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蚀选择比，获得更好的刻蚀剖面形貌。
目前LED主流使用PECVD一般为采用13.56MHz的平板式PECVD,在250~300℃左右温度进行成膜，一次成膜可达40多片，国内LED生产用PECVD目前仍以进口为主。LED采用PECVD与传统PECVD有相同的技术难点，关键技术仍在于温度控制、等离子体技术、真空系统、软件系统等。国内已经开发成功晶硅太阳能电池用平板PECVD设备，该设备与LED用PECVD设备有很大的相通性，经过局部硬件改进设计，比较容易实现LED用PECVD国产化。
三、下游封装制造主要设备现状
产业链下游为封装测试以及应用，是指将外引线连接到中游生产的LE
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