日期:2011-06-22 11:58
美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp.）（NSM）今 天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的 LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱动器，与使用分立驱动器的设计相比，其可减少75％的组件数量，并还能缩小多达85％的印刷电路板（PCB）面积。
砖 式电源模块和通信基础设施设备的设计人员需要以最小的外形尺寸实现更高的功效。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的 导通电阻（Rdson）、