日期:2011-06-22 11:58
栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。美国国家半导体的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源 设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。
为了满足增强型GaN FET严格的栅极驱动要求，我们需要多个分立器件和大量的电路以及PCB设计工作。美国国家半导体的LM5113完全集成的增强型GaN FET驱动器大大减少了电路的数量和PCB的设计工作，并实现了业界最佳的功率密度和效率。
宜 普电源转换公司(Efficient Power Conversion Cor