日期:2011-06-22 11:58
poration)的创始人之一兼首席执行官Alex Lidow表示：美国国家半导体的LM5113桥式驱动器有助于设计人员通过简化设计来发挥eGaN FETs的性能。LM5113大大减少了元件数量，与我们的eGaN FETs配合使用，可以大幅缩小PCB面积，实现更高的功率密度水平，而基于等效MOSFET的设计是做不到这一点的。
LM5113桥式驱动器的技术特点
美 国国家半导体的LM5113是一款针对增强型GaN FET的100V桥式驱动器。该器件采用专有技术，可将高边浮动自举电容电压调节到大约5.25V，以优化驱动增强型GaN功率FET，而不会超过最高栅 -源额定电压。LM5113还具有独