日期:2011-06-22 11:58
立的汇/源输出，可实现灵活的导通强度和关断强度。0.5欧姆的低阻抗下拉路径为低阈值电压增强型GaN功率FET提 供了一种快速、可靠的关断机制，有助于最大限度地提高高频电源设计的效率。LM5113集成了一个高边自举二极管，进一步缩小了PCB面积。LM5113 还为高边和低边驱动器提供了独立的逻辑输入，从而可以灵活运用于各种隔离式和非隔离式电源拓扑结构。
封装、价格及供货情况
美国国家半导体的LM5113采用10引脚4mm 4mm LLP封装。采购均以1,000颗为单位，单颗售价为1.65美元。现已可提供样品，并将于九月份量产。