日期:2011-07-05 14:13
世创电子材料公司Siltronic AG 和比利时微电子研究机构IMEC达成一场协议，双方的合作属于IMEC氮化镓工业联盟计划（IIAP）中的一部分，目的是为下一代LED以及功率半导体原件提供能够在200 mm的硅晶片上生长的GaN层。
GaN是一种非常有前途的材料，它具有优良的电子移动性、高的击穿电压和良好的导热性，适合应用于光电学以及制造功率半导体原件，比如风力涡轮 机、太阳能发电系统、电动汽车和节能型厨房器具等。不过，为实现在大尺寸硅晶片上生长GaN/(Al)GaN外延层，GaN技术还需进一步完善，并需寻求 廉价而高效的生产方法。
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